这局“芯战”，我国“将”了英特尔一军？

Trista 芯师爷 2023-01-30

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近日，英特尔与中科院微电子所的专利诉讼纠纷，在历经4年多的交锋后终迎来最新进展：英特尔表示，双方已签订一项保密协议，解决所有未决诉讼，同时表示会获得一些微电子所专利的许可，并对微电子所剩余专利组合达成一份长期的不起诉约定。

如“企业专利观察”公众号所述，至此，这场中、美芯片行业最重磅的一起专利纠纷案，以中科院微电子所专利最终被英特尔认可并获得许可，而告一段落。

据悉，该项专利名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利。本次专利诉讼纠纷的解决，意味着我国在世界集成电路最先进的芯片制造领域正在迎头赶上，经得起全球科技巨头的挑战，面对不正当的手段已掌握了一定的话语权。

中科院微电子与英特尔六次交锋均获胜

早在2018年，中科院微电子所就指控英特尔（中国）有限公司的酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利，要求英特尔赔偿至少2亿元，同时请求法院对“酷睿”产品实施禁售。

此后，针对中科院微电子所的这项FinFET专利，英特尔曾在中国、美国两地至少试图6次申请无效宣告请求。因为按照英特尔的计划，如果能够在各大市场中成功申请将中科院微电子所的专利无效化，就可以摆脱侵犯专利的嫌疑，自己非但不用赔偿，还能够继续沿用这类技术进行盈利。

不过，每次申请无效都以英特尔失败告终，由此可见，中科院微电子所在FinFET领域专利实力非常雄厚。

国外专利咨询公司LexInnova也曾在2015年进行的FinFET领域专利调查研究中显示，中科院微电子所专利申请数量在该领域排名第11位，也是中国大陆唯一进入前20位的企业，但是其专利质量却能够稳压英特尔等巨头，成为世界第一。

中科院微电子，为何能凭借

FinFET专利“将”英特尔一军

上个世纪末，半导体工艺进化之路曾一度面临停滞，摩尔定律遭受威胁，直到一位华人教授胡正明带领团队发明出「FinFET晶体管技术」，使得摩尔定律延寿了数十年。

FinFET技术成功地推动了从22nm到5nm等数代半导体工艺的发展，成为全球主流晶圆厂的“不二”之选。中科院微电子所也曾自己对涉诉专利有过评价，其重要性程度不言而喻：

涉案专利涉及当今最先进的晶体管器件的关键结构和核心工艺。该专利是在“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）的支持下，围绕集成电路先进制造技术进行布局的若干专利组合中的核心专利之一，能够有效提升芯片集成度并降低制造成本。

简单来说，这个专利技术主要涉及半导体器件结构及其制造方法，包括半导体衬底、位于半导体衬底的鳍结构上方的栅极结构、位于栅极结构下方的鳍结构的沟道部分，以及设置在半导体衬底上方并且与沟道部分接触的至少一个外延区等等。这一专利如今普遍应用于芯片行业，对于国内而言，也是开拓芯片市场的一大利器。

行业内最早实现FinFET商业化应用的是Intel公司，英特尔率先于2011年推出了商业化的FinFET工艺技术，将FinFET技术应用到了自家的22nm制程工艺上，显著提高了性能并降低了功耗，之后台积电，韩国的现代和三星等相继在16纳米到10纳米的节点上推出了鳍式场效应晶体管产品，使得FinFET大放异彩。

中科院微电子前身为原中国科学院109厂，其所在FinFET的研发上位居国际前沿，且多数专家都有国际巨头半导体企业的从业经历。

FinFET与传统平面FET的区别主要在“鳍”上，因此对“鳍”的后续改进，就成为各家争夺的焦点，中科院微电子所正是在“鳍”的创新上投入了大量的基础性研究，有超过一多半的专利都是围绕“鳍”在研发，所研发的FinFET技术比较接近基本原理，有充足的潜力去支持前端开发，因此专利和科研成果之间的转化也就相对容易。

公开信息显示，微电子所专利数量和质量都非常可观。截至目前，微电子所围绕集成电路、高可靠器件与电路、物联网等领域已经提交中国专利申请5000余件，国外专利申请500余件，转让专利158件，达成专利许可1505件。

这些都是英特尔都很难具备对抗的实力。

写在最后

综上所述，中科院微电子所占据的优势并不是经营规模多雄厚，资金实力多强大，而是在它拥有的业界知名专家，并且这些专家一直勤勤恳恳、兢兢业业，这其中不少人在面临改革开放对我国芯片产业造成的冲击时，也依然选择坚持下来，仔细研究，如此才获得高质量的专利产出，掌握了过硬的技术专利，才使得微电子所在应对英特尔时，一直处于优势。

中国芯片需要耐心、长期主义、需要脚踏实地，也希望我们国家能拥有更这样的从业者！

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参考资料